第九五六章 研发极紫外光(2/4)

    拥有了bsec的磁悬浮式双工作台系统专利的终身授权，gca光刻机光学精密设备研究所升级改造，只要研制成功适应800nm制程工艺的磁悬浮式双工作台系统（不能出售和转让专利技术），gca光刻机的制程工艺就有可能达到500nm，达到nikon光刻机的制程工艺，购买休斯电子材料公司（aemc）生产的8英寸晶圆，还能提高35%左右的产能。

    有了磁悬浮式双工作台系统和蔡司公司的光学系统，gikon重新争夺高端光刻机市场份额的资本。

    但前提是bse。

    “艾德里安总经理，bsec开发的光刻机磁悬浮式双工作台系统拿到日本和欧美国家签发的公司发明专利，要等18个月左右。”

    “孙董事长，我放心了！”

    艾德里安顿时轻松了一大截，孙董事长还是挺幽默的。

    “汤普森院长，公司如今经费紧张，光源研究所是继续研制arf准分子激光器？还是像nikon开始研制f2准分子激光器？”

    “孙董事长，我认为光源研究所应该另辟蹊径，开始研制波长只有十几个纳米的极紫外光？”

    gca在八五年就研制成功arf准分子激光器，在光刻机光源领域全球领先，但在透镜和反射镜构成的光学系统方面逊于nikon半导体设备公司不断提升的光学系统，加上光刻机光源被卡在193nm波长上多年，又遭遇全球芯片生产的衰退期，光刻机的霸主地位逐渐被光学系统不断提升的nikon半导体设备公司抢走，年年亏损，公司裁人，技术人员流失，沦落到两次被贱卖的地步。

    “汤普森院长预测光源研究所，能在多长的时间内研制成功极紫外光？”

    孙健心中一喜，他不是不想投资研制极紫外光，而是担心投资太大，即使研制成功，没有配套的光学系统和相适应的光刻胶、掩膜版等，gca也生产不出euv光刻机！

    前世，举国之力研制13.5nm的euv光源也没有结果，在世界上只有asml控股的cymer才能生产euv光源，可见难度之大！<